看到这个标题，估计很多人已经笑了。
如果您在阅读本文后仍在微笑，则意味着您确实了解它。
如果您真的感到自己了解，则无需继续阅读。
我记得当我毕业并找到工作时，我采访了10多家大小公司，而且我也看到了很多面试问题，但是关于RLC的最基本的电路相关问题几乎是必要的，甚至更多。
超过一半的问题是。
这与此有关。
为什么？一切都从基础开始。
这是我将来会重复的一句话，这是到目前为止我对电路的理解。
无论电路多么复杂或多么酷，这些都是密不可分的，如果是的话，这是真的。
如果您理解它，那么将来了解更高级的知识将非常有帮助。
众所周知，两端都有电压的电容器可以开始充电和存储电荷。
在理想状态下，它是C：但是现实总是残酷的，您会发现几乎所有工作都在与这些非理想问题作斗争。
ESR（等效串联电阻）如果您查看电容器数据表（例如，转到Murata的网上并找到一个），则每个非理想电容器都会有一个称为ESR的指示器。
顾名思义，电容器本身具有等效串联电阻，那么电容器的等效电路将变为：该电阻通常有多大？通常在100mΩ至1000mΩ的范围内，具体值取决于电容器的类型和电容器的值。
我在这里不做详细介绍。
当我比较不同电容器之间的差异时，我将详细解释。
那么肯定有人会问，这么小的串联电阻会产生什么大影响？抱歉，的确，在极端苛刻的条件下，两个电容器将并联连接以降低ESR。
例如，LDO的输出电容器，如果ESR太大或太小，则很可能引起LDO的稳定性问题。
另一个一方面，当电容器用作电源的去耦电容时，您想要的R越小越好。
当使用电容器作为去耦电容时，其功能是提供高频电流。
假设您的芯片电源将具有非常短的100mA峰值电流，并且该电流几乎由您的去耦电容提供。
如果您的电容器ESR为1Ω，请假设有100mA的电流流过该电阻并到达另一端。
电压降为100mV因此，一句话：通常，您希望此电阻尽可能小。
例如，除了LDO的输出电容之外，ESR的大小也会影响LDO的稳定性，但是这个问题是一个长期的问题，有机会独自一人。
让我们开始详细的文章。
在讨论完R之后，我们来谈谈L. ESL（等效串联电感）。
在许多情况下，这是一个经常被忽视的指标。
您会经常看到ESR规范和许多电容器数据手册。
其中没有ESL规范。
但是，随着信号频率变得越来越高，ESL完全不能被忽略。
在这种情况下，电容器的等效电路必须变为：ESL主要影响电容器的高频特性。
通常，此ESL非常小。
即使这样，当信号的频率高到一定水平时，该L的阻抗将变得不可忽略。
当频率继续上升时，Z_（L）将逐渐变大，因此电容它开始逐渐开始看起来像电感器。
在相同情况下，去耦电容的重要功能之一就是提供瞬时大电流，这里L会试图阻止电流的瞬时变化，因此如果ESL太大，则会大大降低电流的影响。
去耦电容，特别是在高频下。
上图来自：通常，当您打开电容器数据表时，您会发现电容器阻抗与频率的关系图，如上图所示。
该图清楚地显示了ESR和ESL如何改变理想电容器的阻抗与频率关系曲线。
版权属于原始作者。
如果有任何侵权，请联系以将其删除。
免责声明：本文内容经21ic授权后发布，版权归原作者所有。
该平台仅提供信息存储服务。
本文仅代表作者的个人观点，并不代表该平台的立场。
如有任何疑问，请与我们联系，谢谢！
