根据结构,晶体管可分为:NPN型管和PNP型管;根据材料,有半导体三极管和硅半导体三极管;根据工作性质,它还分为高频和低频晶体三极管;高功率,中功率和低功率晶体三极管;用作信号放大的三极管和用作开关的三极管< v:stroke joinstyle =" miter">< / v:stroke>< v:formula>< v:f eqn =" if lineDrawn pixelLineWidth 0">< / v:f>< v:f eqn =" sum @ 0 1 0">< / v:f>< v:f eqn =" sum 0 0 @ 1">< / v:f>< v:f eqn =" Prod @ 2 1 2">< / v:f>< v:f eqn =" prod @ 3 21600 pixelWidth">< / v:f>< v:f eqn =" prod @ 3 21600 pixelHeight">< / v:f>< v:f eqn =" sum @ 0 0 1">< / v:f>< v:f eqn =" prod @ 6 1 2">< / v:f>< v:f eqn =" Prod @ 7 21600 pixelWidth">< / v:f>< v:f eqn =" sum @ 8 21600 0">< / v:f>< v:f eqn =" prod @ 7 21600 pixelHeight">< / v:f>< v:f eqn =" sum @ 10 21600 0">< / v:f>< / v:公式>< v:路径o :connecttype = QUOT; RECT" gradientshapeok = QUOT; T" ○:extrusionok = QUOT; f">< / v:path>< o:lock v:ext =" edit"纵横比= QUOT; T">< / O:锁>< / V:shapetype>< / V:shapetype>双极晶体输出特性可分为三个区域:★截止区域:发射极和集电极结是反向偏置的。
此时,晶体管失去其放大能力。
如果晶体管被视为开关,则该状态相当于断开状态。
★放大区:发射极结正偏置,集电极结反向偏置。
★饱和区:发射极结和集电极结都是正向偏置的。
在饱和区中,IC不受IB控制,并且管失去放大。
如果晶体管被视为开关,则开关现在闭合。
放大区域的特征是:◆IC由IB控制,几乎与UCE的大小无关。
因此,三极管是由电流IB控制的电流源。
◆放大区域中的电流 - 电压关系为:UE = EC-ICRC,IC =βIB◆特性曲线的平坦部分之间的间隔反映了基极电流IB对集电极电流IC的控制能力。
间隔越大,管电流越大。
放大系数b较大。
◆具有最低伏安特性的线路IB = 0,表示基极开路且IC很小。
此时的IC是穿透电流ICEO。
◆放大区域中的管可以等效于可变直流电阻。
BJT工作模式EBJCBJ截止反向偏置反向放大正负反向负反向放大反向偏置正饱和正偏置双极晶体管体积小,重量轻,功耗低,寿命长,可靠性高,广泛应用于广播,电视,通信,雷达,计算机,家用电器等领域,具有放大,振荡,切换等功能。
特别是在超高频应用中,例如无线系统中的射频电路(RF)。