MOS管参数：60V50A内部电阻：14mR（VGS = 4.5V）结电容：550pF类型：SGT工艺NMOS开启电压：1.8V封装：TO-252H012N06L特性：高频，大电流，低开启电压，低内阻，结电容小，功耗低，温升低，转换效率高，过电流大，抗冲击性强，SGT工艺，开关损耗低应用领域：各种照明应用，太阳能，加湿器，美容仪器及其他电源开关应用领域。