德国纽比堡，2013年4月16日-英飞凌科技股份公司（FSE：IFX / OTCQX：IFNNY）今天发布了一种收发器，该收发器可以代替十多个独立设备，以简化系统设计和生产产品线。
由于功耗较低，因此这种高度集成的单芯片收发器还可帮助降低高数据速率毫米波无线回程通信系统的固定成本。
这款新产品面向LTE / 4G基站与核心网络之间数据速率超过1Gbps的无线数据链路。
Infineon BGTx0器件采用标准塑料封装，一个芯片可以替代现有系统设计中使用的十多个分立器件。
对于继续使用标准化SMT贴片组装过程的客户，它可以大大简化组装过程。
BGTx0产品线配备了射频前端，用于使用57-64 GHz，71-76 GHz或81-86 GHz毫米波频段的无线通信系统。
此外，该系统解决方案还集成了基带/调制解调器功能，可以减少电路板空间，提高支持LTE / 4G网络的基站所需的关键无线回程链路的可靠性，并降低其成本。
Infineon Technologies副总裁兼RF和保护设备业务线总经理Philipp von Schierstaedt表示：“可用于LTE / 4G回传传输的V和E微波频段可以支持与以前相同的数据速率发电网络。
三次。
因此，它们需要极高的射频性能来满足操作要求。
通过推出新的收发器产品线，英飞凌充分利用其先进的技术和RF设计专业知识来帮助系统设计人员降低复杂性，简化生产并最终提高其回程传输解决方案的质量和现场可靠性。
＆amp; rdquo; BGTx0收发器将所有RF组件集成在一个小芯片上，包括I / Q调制器，压控振荡器（VCO），功率放大器（PA），低噪声放大器（LNA），可编程增益放大器（PGA），SPI控制接口等。
，采用嵌入式晶圆级球栅阵列（eWLB）封装。
在生产过程中，可以使用内置的自检（BIST）来验证和校准射频性能，这有助于简化将芯片装载到设备制造商生产的最终产品中的过程。
线。
SiGe工艺具有出色的RF性能-包括输出功率高达18 dBm的功率放大器，噪声系数低至6 dB的低噪声放大器以及VCO相位噪声优于-85dBc / Hz（ 100kHz偏移），这使系统设计人员可以实施高阶调制方案，例如，当误码率为10时，QAM64的采样率为每秒5亿个信号样本； QAM32的采样率为每秒10亿个信号样本。
-6。
该设备的静电保护（ESD）性能超过1kV，可以提高客户系统设计的鲁棒性并简化设计任务。
该回传传输收发器产品线的功耗小于2W，可以降低网络运营商的功耗。
该系列产品采用直接转换架构，与当前的离散毫米波系统相比，极大地简化了射频和基带之间的接口设计。
此外，系统供应商还可以受益于英飞凌汽车级SiGe IC生产工艺的质量和可靠性。
供应BTGx0产品线工程样品将于今年9月启动，并计划于今年年底开始批量生产。
有关更多信息，请访问www.infineon.com/backhaul。
英飞凌公司简介英飞凌技术公司总部位于德国努比堡，它为现代社会的三大技术挑战（高能效，移动性和安全性）提供半导体和系统解决方案。
在2012财年（截至9月30日），公司实现了39亿欧元的销售额，在全球拥有约26,700名员工。
Infineon Technologies的业务遍及全球，在美国的米尔皮塔斯，亚太地区的新加坡和日本的东京设有分支机构。
英飞凌目前在美国场外交易市场（OTCQX）上在法兰克福证券交易所（股票代码：IFX）和国际总理（股票代码：IFNNY）上市。
英飞凌在中国英飞凌科技有限公司于1995年正式进入中国市场。
自1996年在无锡成立第一家公司以来，英飞凌的业务取得了非常快速的增长。
英飞凌在中国拥有1,300多名员工，已成为英飞凌在亚太地区乃至全球业务发展的重要推动力。
英飞凌有
