死区时间是几点？如何计算数据表参数的合理死区时间？在STM32中配置停滞时间时，停滞时间是多少？ PWM是脉宽调制。
在电力电子中，整流和逆变器是最常用的。
这就需要使用整流桥和逆变桥。
对于三相电，需要三个桥臂。
以两级为例，每个桥臂上有两个功率电子器件，例如IGBT。
大致如下图所示；这两个IGBT不能同时导通，否则会发生短路，从而损坏系统。
那为什么会有同时传导的情况呢？因为开关组件的和严格含义不相同。
因此，有必要在驱动开关元件的栅极时增加延迟，以确保在接通开关元件之前另一开关管被完全断开。
通常有两种情况；桥的上半部分关闭后，会有一段时间的延迟。
打开下半桥；下半桥关闭后，延迟一段时间再打开上半桥；这样就不会同时打开它，从而避免了功率组件的燃烧；死区时间控制在配备有常规单片机的PWM中。
此功能将在下面进一步介绍。
互补PWM的死区时间是相对于PWM的。
死区时间是PWM输出时的时间。
上管和下管将没有输出。
当然，波形输出将被中断。
停滞时间通常仅占周期的百分之几。
。
但是，当PWM波本身的占空比较小时，空出的部分大于死区，因此死区会影响输出纹波，但不应起决定性作用。
另外，如果将死区设置得太小，但上下管仍同时导通，因为导通时间很短，电流不会变得太大，并且不足以使烧毁系统，然后开关组件将严重发热，因此选择适当的空载时间尤为重要，太大或太小将无法工作。
数据表的参数下面是NXP IRF540的数据表，其栅极开关时间如下：然后，IRF540找到，，，的相关典型参数。
典型参数：栅极导通延迟时间：栅极截止断开延迟时间：栅极上升时间：栅极下降时间以下是IGBT的数据手册；以下是IGBT的数据手册。
下图是IGBT的开关特性，您还可以找到，和其他参数，这些参数将在下面的计算中使用；开关特性如何计算合理的停滞时间？它用于表示停滞时间，因为门的上升和下降时间通常比延迟时间小得多，因此您无需在此处考虑它们。
然后，空载时间满足：：最大关闭延迟时间；：最小开启延迟时间；：最大驱动信号传输延迟时间；：最小驱动信号传输延迟时间；以及：总和可以如上所述。
可在器件的数据手册中找到它。
通常由驱动程序制造商提供；如果由MCU的IO驱动，则需要考虑IO的上升时间和下降时间。
此外，通常会添加一个光耦合器以进行隔离，并且此处还必须考虑光耦合器。
切换延迟。
在STM32中配置死区时间STM32的TIM高级定时器支持互补的PWM波形生成，并且它支持插入死区时间和制动。
直接查看参考手册中的寄存器TIMx_BDTR，该寄存器是用于配置制动和空载时间的寄存器。
TIMx_BDTR可以看到死区时间DT由** UTG [7：0] **确定。
这里的另一个问题是什么？在TIMx_CR1寄存器中可以知道，它是由TIMx_CR1寄存器的CKD确定的。
如果配置为00，则频率与内部定时器相同，为8M； CKD结合代码进行计算；系统频率为72M，以下为时基单元配置； #definePWM_FREQ（（u16）16000）// inHz（Nb：模式类型居中对齐）#definePWM_PRSC（（u8）0）#definePWM_PERIOD（（u16）（CKTIM /（u32）（2 * PWM_FREQ *（PWM_PRSC + 1））））TIM_TimeBaseStructInit （＆amp; TIM1_TimeBaseStructure）; / * TimeBaseconfiguration * / TIM1_TimeBaseStructure.TIM_Prescaler = 0x0; TIM1_TimeBaseStructure.TIM_CounterMode = TIM_CounterMode_CenterAligned1; TIM1_TimeBaseStructure.TIM_Period = PWM_TimeBaseStructure。
，因此配置的时钟频率为32K；以下是制动时间和死区时间，即BDTR寄存器的配置，因此此处的CK_INT为32M＃defineCKTIM（（u32）72000000uL）/ * Sil
