为什么两个IGBT同时打开?

死区时间是几点?如何计算数据表参数的合理死区时间?在STM32中配置停滞时间时,停滞时间是多少? PWM是脉宽调制。

在电力电子中,整流和逆变器是最常用的。

这就需要使用整流桥和逆变桥。

对于三相电,需要三个桥臂。

以两级为例,每个桥臂上有两个功率电子器件,例如IGBT。

大致如下图所示;这两个IGBT不能同时导通,否则会发生短路,从而损坏系统。

那为什么会有同时传导的情况呢?因为开关组件的和严格含义不相同。

因此,有必要在驱动开关元件的栅极时增加延迟,以确保在接通开关元件之前另一开关管被完全断开。

通常有两种情况;桥的上半部分关闭后,会有一段时间的延迟。

打开下半桥;下半桥关闭后,延迟一段时间再打开上半桥;这样就不会同时打开它,从而避免了功率组件的燃烧;死区时间控制在配备有常规单片机的PWM中。

此功能将在下面进一步介绍。

互补PWM的死区时间是相对于PWM的。

死区时间是PWM输出时的时间。

上管和下管将没有输出。

当然,波形输出将被中断。

停滞时间通常仅占周期的百分之几。

但是,当PWM波本身的占空比较小时,空出的部分大于死区,因此死区会影响输出纹波,但不应起决定性作用。

另外,如果将死区设置得太小,但上下管仍同时导通,因为导通时间很短,电流不会变得太大,并且不足以使烧毁系统,然后开关组件将严重发热,因此选择适当的空载时间尤为重要,太大或太小将无法工作。

数据表的参数下面是NXP IRF540的数据表,其栅极开关时间如下:然后,IRF540找到,,,的相关典型参数。

典型参数:栅极导通延迟时间:栅极截止断开延迟时间:栅极上升时间:栅极下降时间以下是IGBT的数据手册;以下是IGBT的数据手册。

下图是IGBT的开关特性,您还可以找到,和其他参数,这些参数将在下面的计算中使用;开关特性如何计算合理的停滞时间?它用于表示停滞时间,因为门的上升和下降时间通常比延迟时间小得多,因此您无需在此处考虑它们。

然后,空载时间满足::最大关闭延迟时间;:最小开启延迟时间;:最大驱动信号传输延迟时间;:最小驱动信号传输延迟时间;以及:总和可以如上所述。

可在器件的数据手册中找到它。

通常由驱动程序制造商提供;如果由MCU的IO驱动,则需要考虑IO的上升时间和下降时间。

此外,通常会添加一个光耦合器以进行隔离,并且此处还必须考虑光耦合器。

切换延迟。

在STM32中配置死区时间STM32的TIM高级定时器支持互补的PWM波形生成,并且它支持插入死区时间和制动。

直接查看参考手册中的寄存器TIMx_BDTR,该寄存器是用于配置制动和空载时间的寄存器。

TIMx_BDTR可以看到死区时间DT由** UTG [7:0] **确定。

这里的另一个问题是什么?在TIMx_CR1寄存器中可以知道,它是由TIMx_CR1寄存器的CKD确定的。

如果配置为00,则频率与内部定时器相同,为8M; CKD结合代码进行计算;系统频率为72M,以下为时基单元配置; #definePWM_FREQ((u16)16000)// inHz(Nb:模式类型居中对齐)#definePWM_PRSC((u8)0)#definePWM_PERIOD((u16)(CKTIM /(u32)(2 * PWM_FREQ *(PWM_PRSC + 1))))TIM_TimeBaseStructInit (& TIM1_TimeBaseStructure); / * TimeBaseconfiguration * / TIM1_TimeBaseStructure.TIM_Prescaler = 0x0; TIM1_TimeBaseStructure.TIM_CounterMode = TIM_CounterMode_CenterAligned1; TIM1_TimeBaseStructure.TIM_Period = PWM_TimeBaseStructure。

,因此配置的时钟频率为32K;以下是制动时间和死区时间,即BDTR寄存器的配置,因此此处的CK_INT为32M#defineCKTIM((u32)72000000uL)/ * Sil

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