2020年10月26日，美国新泽西州普林斯顿-碳化硅（SiC）功率半导体的领先制造商United SiC宣布将推出四个新型结势垒肖特基（JBS）二极管，以补充FET和JFET晶体管产品。新推出的UJ3D 1200V和1700V器件在业界具有更好的浪涌电流性能，并且是UnitedSiC第三代SiC混合PiN肖特基（MPS）二极管的一部分。
UnitedSiC的SiC SB二极管针对要求更高效率水平和超快开关速度的电源系统设计进行了全面优化。其VF x Qc品质因数（FoM）至少比其他制造商好12-15％。
二极管。阳极和阴极之间的间隙大于8.8mm，这意味着它们更适合处理可能出现的电压瞬变所引起的高噪声环境。
在高电流的情况下，新颖的PN结架构可以注入额外的载流子。因此，与竞争对手的器件相比，UnitedSiC二极管可以承受更高的浪涌电流（高达额定电流的12倍）。
新产品包括额定电流为1700V的25A产品和三个额定电流分别为10A，20A和50A的1200V器件。所有这些SiC二极管均采用紧凑的TO247-2L封装和裸片格式完全符合AEC-Q101汽车级标准。
这些新型SiC二极管最适合的应用包括电动汽车（EV）快速充电接入点，工业电机驱动器和太阳能逆变器。 UnitedSiC工程部副总裁Anup Bhalla解释说：“凭借UJ3D1725K2的独特性能，我们可以为客户提供可靠，节省空间和成本效益的SiC二极管。
这些新产品已得到批量生产的支持和验证，并具有更高的性能水平和质量保证。”对于UJ3D1725K2，千片或更多单位的零售单价为$ 6.47，UJ3D1210K2，UJ3D1220K2和UJ3D1250K2的单价分别为$ 2.24，$ 3.39和$ 9.55。
所有设备均可从UnitedSiC授权分销商处购买。
UnitedSiC的SiC SB二极管针对要求更高效率水平和超快开关速度的电源系统设计进行了全面优化。其VF x Qc品质因数（FoM）至少比其他制造商好12-15％。
二极管。阳极和阴极之间的间隙大于8.8mm，这意味着它们更适合处理可能出现的电压瞬变所引起的高噪声环境。
在高电流的情况下，新颖的PN结架构可以注入额外的载流子。因此，与竞争对手的器件相比，UnitedSiC二极管可以承受更高的浪涌电流（高达额定电流的12倍）。
新产品包括额定电流为1700V的25A产品和三个额定电流分别为10A，20A和50A的1200V器件。所有这些SiC二极管均采用紧凑的TO247-2L封装和裸片格式完全符合AEC-Q101汽车级标准。
这些新型SiC二极管最适合的应用包括电动汽车（EV）快速充电接入点，工业电机驱动器和太阳能逆变器。 UnitedSiC工程部副总裁Anup Bhalla解释说：“凭借UJ3D1725K2的独特性能，我们可以为客户提供可靠，节省空间和成本效益的SiC二极管。
这些新产品已得到批量生产的支持和验证，并具有更高的性能水平和质量保证。”对于UJ3D1725K2，千片或更多单位的零售单价为$ 6.47，UJ3D1210K2，UJ3D1220K2和UJ3D1250K2的单价分别为$ 2.24，$ 3.39和$ 9.55。
所有设备均可从UnitedSiC授权分销商处购买。